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IPB10N03LB中文资料

IPB10N03LB图片

IPB10N03LB外观图

  • 大小:205.32KB
  • 厂家:INFINEON [Infineon Technologies AG]
  • 描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:OptiMOS?
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9.6 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):13 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1639 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):58W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PG-TO263-3
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

IPB10N03LB供应商

更新时间:2022-12-31 23:50:22
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